SiC MOSFET

SiC（シリコンカーバイド）は、現在の主流であるSi（シリコン）製のパワー半導体素子と比べ、スイッチング損失が小さく、
高温領域においても優れた電気的特性をしまします。

電力損失を大幅削減システムの小型化に貢献耐圧600V、1200V 電流10A～35A 低オン抵抗（温度変化小）高速スイッチング高速リカバリ

定格電圧 600V、特に1000V以上の応用分野での使用が考えられます。